Han® 24 DD
Han® 42 DD
Han® 72 DD
Han® 108 DD
Merkmale
Robustes Design
Schutzgrad IP 65
Passend für Standard und EMV-Gehäuse
Geringe Verdrahtungskosten
Hohe Kontaktdichte
Kontakteinsätze
|
Kontaktzahlen |
24, 42, 72, 108 | |
|
|
||
|
Elektrische Daten |
| |
|
|
7,5 A | |
|
|
250 V | |
|
|
||
|
|
||
|
| ||
|
|
||
|
Prüfspannung Ueff |
2 kV | |
|
Isolationswiderstand |
> 1010 Ω | |
|
Werkstoff |
Polyamid | |
|
Temperaturbereich |
- 40 °C ... + 125 °C | |
|
Brennbarkeit nach UL 94 |
HB | |
|
Mechan. Lebensdauer |
> 500 | |
|
Leiterquerschnitt |
0,14 - 2,5mm² | |
Leiterplatten-Layout
|
Han® 24 DD |
Han® 42 DD |
|
|
|
|
|
|
|
Han® 72 DD |
Han® 108 DD |
|
|
|
Empfohlener Loch-Durchmesser: 0,8 mm
Einbau-Situation
1) für Han® B EMV Gehäuse ist das Abstandsmaß 12,5 ± 0,2 zu wählen, da keine Flanschdichtung verwendet wird